Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出新一代獨立 MOSFET。DMN3012LEG 採用輕巧封裝，可提升效率，大幅節省各種電源轉換與控制產品應用的成本、電力與空間。
DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較於典型雙晶片解決方案，電路板空間需求可減少 50%。此節省空間的特點，有利於使用負載點 (PoL) 與電源管理模組的一系列產品應用。DMN3012LEG 可用於 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。
PowerDI® 3333-8 D 型封裝的 3D 結構有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴大其應用範圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能，降低整個解決方案的運作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。
DMN3012LEG 整合兩個 N 通道的增強模式 MOSFET，非常適合用於同步降壓轉換器的設計。此元件使用橫向擴散 MOS (LDMOS) 製程，結合快速導通和間斷動作，Q1 延遲時間僅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 極大導通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時僅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 時則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓，同時支援 5V 閘極驅動。
PowerDI® 為 Diodes 公司的註冊商標。
關於 Diodes Incorporated
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 是一家標準普爾小型股 600 指數和羅素 3000 指數成員公司，為消費性電子、運算、通訊、工業及汽車市場的全球領先公司提供高品質半導體產品。我們擁有豐富的產品組合以滿足客戶需求，內容包括分離、類比、邏輯與混合訊號產品以及先進的封裝技術。我們廣泛提供特殊應用解決方案與解決方案導向銷售，加上全球 28 個據點涵蓋工程、測試、製造與客戶服務，使我們成為高產量、高成長的市場中成為優質供應商。詳細資訊請參閱 www.Diodes.com。
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